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多少年來，半導體業(yè)以遵循摩爾定律的技術(shù)發(fā)展為首要原動力。

在摩爾定律推動下，生產(chǎn)成本不斷下降，也帶來了技術(shù)革新。為了提高產(chǎn)品的生產(chǎn)效率和利潤，晶圓尺寸的擴大和芯片線寬的減小是集成電路行業(yè)技術(shù)進步的兩條主線。

通常來講，半導體行業(yè)每十年升級fab架構(gòu)來增加晶圓直徑，而同時工藝制程則是保持在每兩年一個節(jié)點的速度。隨著納米尺度逼近物理極限，工藝節(jié)點的技術(shù)進步已經(jīng)放緩，晶圓尺寸的增加變得越來越重要。

晶圓尺寸越大則每片晶圓上可以制造的芯片數(shù)量就越多，從而制造成本就越低。

晶圓尺寸從早期的2英寸（50mm）、4英寸（100mm），發(fā)展到6英寸（150mm）、8英寸（200mm）和12英寸（300mm），大約每10年升級一次。

1991年業(yè)界開始投產(chǎn)200mm晶圓，2001年左右起步向300mm晶圓過渡，依次類推，ITRS(國際半導體技術(shù)發(fā)展路線圖)和摩爾定律都認為，2010年之后逐漸開始邁向450mm（18英寸）晶圓。

彼時，英特爾、三星和臺積電等行業(yè)巨頭都表示了肯定態(tài)度，為2012年過渡到450mm而做著準備，與制造設(shè)備、材料廠商開展協(xié)商以便供應(yīng)設(shè)備和材料，同時進行有關(guān)標準化方面的工作。他們設(shè)想向450mm過渡就像以往向300mm過渡一樣，可以增加向用戶提供的價值，生產(chǎn)率翻番。

200mm晶圓到300mm的遷移，曾經(jīng)讓單位晶體管成本突破摩爾定律，產(chǎn)生了躍變。這也很好理解，越大的晶圓就能夠切割出更多的Die，從而大大降低單晶體管的價格。據(jù)統(tǒng)計，每次提升晶圓尺寸，產(chǎn)出Die的數(shù)量至少提高一倍。

然而，一切理想中的優(yōu)勢和規(guī)劃終究未能落地。有數(shù)據(jù)表明，當前一代晶圓變成主流，支持了大約 40% 的總產(chǎn)能時（從而可以維持健康的產(chǎn)能組合，成本足以支持不同的應(yīng)用），新一代晶圓就會開始。

然而，目前世界上芯片的產(chǎn)能超過70%是12英寸晶圓，第一條12英寸Fab線迄今已近二十年，我們卻尚未看到下一代18英寸晶圓廠的出現(xiàn)。

那么，18英寸的計劃究竟為什么“胎死腹中”？

18英寸晶圓往事

萌芽

早在2004年，在芯片聯(lián)盟International Sematech主辦的全球經(jīng)濟研討會上，時任美國應(yīng)用材料公司常務(wù)董事Iddo Hadar發(fā)言說：“半導體產(chǎn)業(yè)在向450mm晶圓方向前進，450mm晶圓廠將在2011-2015年出現(xiàn)?！?/span>

2007年，ISMI（國際半導體技術(shù)制造協(xié)會）強調(diào)，在摩爾定律的指引下，未來生產(chǎn)成本需要降低30%，產(chǎn)品生產(chǎn)周期需要改善50%，而這種需求只有過渡到450mm晶圓尺寸才能做到。

在業(yè)界的一致推崇和引導下，2008年英特爾宣布與三星、臺積電達成合作協(xié)議，將在2012年投產(chǎn)450mm芯片晶圓，預計會首先用于切割22nm工藝處理器。

英特爾相信，從300mm晶圓到450mm的遷移將使每個晶圓的芯片數(shù)量增加一倍以上。英特爾、三星和臺積電計劃與整個半導體產(chǎn)業(yè)合作，確保所有必需的部件、基礎(chǔ)設(shè)施、生產(chǎn)能力都能在2012年完成開發(fā)和測試，并投入試驗性生產(chǎn)。

這個藍圖被寫入到2009和2010年的ITRS(半導體協(xié)會技術(shù)發(fā)展路線圖)中，但是2012年的ITRS被重新修改，原定計劃目標全部推遲2年。根據(jù)2012年ITRS規(guī)劃，450mm晶圓尺寸生產(chǎn)材料及設(shè)備制造商，應(yīng)當在2013-2014年形成生產(chǎn)能力，并提供相應(yīng)設(shè)備給IDM和Foundry。

在2011年Semicon West會議上，過去一直對450mm規(guī)格轉(zhuǎn)換沒什么好感的半導體設(shè)備廠商，在各方的勸說下，也已經(jīng)慢慢轉(zhuǎn)變了對其的態(tài)度，并做出了一些有實質(zhì)性意義的轉(zhuǎn)變動作。比如應(yīng)用材料公司表示將在450mm項目上的投資將超過1億美元規(guī)模；量檢具廠商KLA Tencor便推出了其可適用于450mm晶圓的檢驗用工具Surfscan SP3；450mm晶圓制造用光刻設(shè)備的兼容性的問題也有望得到暫時的解決，光刻廠商會推出一些臨時的解決方案以應(yīng)對光刻機與450mm規(guī)格晶圓兼容的問題。

也是在這一年，新上任的紐約州州長Andrew Cuomo力主搞個大政績，邀請芯片五強(IBM、英特爾、格芯、臺積電和三星)在紐約州研發(fā)下一代芯片技術(shù)，大家表態(tài)投資44億美金推進450mm，這就是全球450聯(lián)盟(G450C)，并于美國紐約州Albany設(shè)立了450mm晶圓技術(shù)研發(fā)中心。

450mm聯(lián)盟成立后，18英寸晶圓世代的技術(shù)和機臺設(shè)備有不少方針已開始確立，是半導體產(chǎn)業(yè)邁入18英寸晶圓世代的重要里程碑。這個聯(lián)盟的關(guān)鍵基礎(chǔ)是紐約州立大學理工學院的實力和IBM微電子大本營多年在該州的耕耘，還有紐約州承諾的政府補貼。期間，Cuomo還拉著尼康共同出資3.5億美元搞450mm浸入式光刻機。

實際上，除了G450C聯(lián)盟之外，歐盟在更早時候搞過一個EEMI450的合作計劃，以色列也搞過一個Metro450，共計三個聯(lián)盟來推動450mm晶圓的進展，目標是可互用研究結(jié)果，減少重復性的實驗。

除此之外，半導體制造技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟（SEMATECH）和國際半導體行業(yè)協(xié)會（SEMI）等也在推動全球產(chǎn)業(yè)鏈的合作研發(fā)，期望晶圓直徑的增大牽動整個產(chǎn)業(yè)鏈帶來的改變。

衰落

然而所有的計劃都沒有使450mm晶圓成功。自2014年開始G450C聯(lián)盟出現(xiàn)暫緩研發(fā)450mm晶圓的跡象。

英特爾其實是最積極推進450mm的公司。但事不湊巧，G450C期間（2011-2016）剛好是英特爾搞14nm Broadwell的時間，被用到極限的DUV光刻機和復雜的FinFET使得英特爾當時良率非常低，路線圖各種延誤，沒有心思再去關(guān)注450mm晶圓。

英特爾在2014年的撤退被認為是450mm晶圓消亡的一個關(guān)鍵時刻。

而無心硬件的IBM把半導體部賣給了格芯，但格芯并沒有足夠的錢去搞450mm這么大的工程，最后白白損失了一大筆之前的投入。

針對這種情況，SEMI和ISMI（美國國際半導體技術(shù)制造協(xié)會)于2014年設(shè)立了一個EPWG設(shè)備生產(chǎn)率工作組，對過渡450mm晶圓問題進行了研究，得出的明確結(jié)論是——“此非其時”。

在2014年英特爾退出兩年后，臺積電也悄悄退出了G450C聯(lián)盟。

多年以后，在回顧臺積電放棄450mm晶圓的原因時，前臺積電首席運營官蔣尚義在接受采訪時說道：“當年，英特爾是推動轉(zhuǎn)向450mm晶圓的主要推動者，因為它認為這是獲得市場優(yōu)勢的另一種方式。18英寸會將業(yè)內(nèi)小玩家擠出市場，鞏固巨頭地位。

臺積電之所以不推廣450mm晶圓技術(shù)，原因是臺積電在300mm晶圓上已成功擊敗了許多較小的競爭對手，建立了領(lǐng)先優(yōu)勢。但如果到450mm，就會直接與英特爾和三星展開競爭。

英特爾和三星都擁有比臺積電更多的工程師，而且還有更多的收入可以利用，這將有助于兩家公司在450mm生產(chǎn)上的投資比臺積電要多。所以，進軍450mm根本不會幫助臺積電，反而會占用臺積電太多的研發(fā)人員，削弱其在其他領(lǐng)域追求技術(shù)進步的能力，實際上會對公司造成潛在的傷害?！?/span>

整體而言，業(yè)界對450mm晶圓進程自開始就有不同的看法，除了上述廠商的猶豫不決和無暇分心之外，其中最為關(guān)鍵的半導體設(shè)備供應(yīng)商，包括如應(yīng)用材料、ASML等也缺乏積極性，理由是450mm設(shè)備不是簡單地把腔體的直徑放大，而是要從根本上對于設(shè)備進行重新設(shè)計，因此面臨著經(jīng)費與人力等問題，更多的擔心是未來的市場，能否有足夠的投資回報率。

當時的ASML也正在EUV光刻機中掙扎，光源效率等問題一直拖后量產(chǎn)的時間表，資金壓力使ASML率先宣布退出450mm合作。雖然有尼康的光刻機支持，但是如果450mm整體良率和效率并不能顯著提升的話，成本并不會比300mm低。

所以，關(guān)于450mm晶圓的聲浪看似此起彼伏，但大多數(shù)產(chǎn)業(yè)鏈廠商實際上都是雷聲大雨點小。

如今，工藝制程都發(fā)展到了3nm，卻仍未見到450mm晶圓的身影，甚至都沒有看到行業(yè)廠商在450mm晶圓上的規(guī)劃。

歸結(jié)其原因，無外乎成本、良率、產(chǎn)業(yè)鏈配套等方面存在不足。

18英寸晶圓的主要挑戰(zhàn)是什么？

成本巨大

商人往往是無利不起早的，既然450mm能夠降低Die的成本，那大家為什么不積極布局呢？

18英寸晶圓已經(jīng)被證明是一個“海市蜃樓”，在業(yè)界放棄這個想法之前，已經(jīng)做了大量的開發(fā)工作，成本問題成為企業(yè)紛紛退出的關(guān)鍵因素。

晶圓代紀遷移的成本是巨大的。據(jù)推算，從150mm到200mm花了大約6 年，花費將近15億美金；而從200mm到300mm則花了近10年時間，投入了116 億美金，成本幾乎上漲了近8倍。而要進化到450mm，將耗費設(shè)備商們超過1000億美元的巨額研發(fā)成本。

同時，設(shè)備成本和時間成本減緩了晶圓尺寸邁向18英寸的腳步。雖然450mm晶圓的面積是300mm的2倍多，但生產(chǎn)時間上要遠大于2倍時長。

SEMI曾預測每個450mm晶圓廠將耗資100億美元,但單位面積芯片成本只下降8%。高額的資金壓力，以及并不顯著的良率和效率的提升，使得行業(yè)減緩了向450mm邁進的步伐。

然而資金問題并不是450mm項目面臨的唯一難題。450mm規(guī)格轉(zhuǎn)換的時間點，與節(jié)點制程與EUV光刻技術(shù)升級的時間點相互撞車則是另外一個不確定負面因素。

良率挑戰(zhàn)

且不說是否有合適的經(jīng)濟模型來模擬450mm的各種設(shè)備成本增加，以及各種生產(chǎn)效率和使用率，每一步的良率都是極其不可預測的變量。

從原理來看，晶圓是由硅錠加工而成的，通過專門的工藝可以在硅晶片上刻蝕出數(shù)以百萬計的晶體管，被廣泛應(yīng)用于集成電路的制造。

假設(shè)晶圓本身工藝沒問題且同種芯片的良率穩(wěn)定，那么晶圓直徑越大，晶圓利用率就越高，可產(chǎn)出的芯片數(shù)就越多，每個芯片的成本也就越低。這也是晶圓廠向更大直徑晶圓制造技術(shù)發(fā)展的原因。

但實際中，晶圓尺寸越大，對微電子工藝、設(shè)備、材料的要求也就越高。因為約75%的硅晶片采用直拉法進行生產(chǎn)，在結(jié)晶過程中，直徑越大，可能由于旋轉(zhuǎn)速度不穩(wěn)定導致晶格結(jié)構(gòu)缺陷的可能性越大。

同時，晶圓直徑越大就意味著重量越大，邊緣處就更容易出現(xiàn)翹曲的情況。因此，晶圓越大，良品率越低，晶圓單位面積成本越高。

因此，通過增大晶圓尺寸降低的成本不能彌補大直徑導致晶圓不良率增加成本的時候，選用更大尺寸的晶圓進行生產(chǎn)就變得不經(jīng)濟。

產(chǎn)業(yè)鏈配合力度

從行業(yè)規(guī)律來看，向更大晶圓尺寸進軍，給較小的市場玩家設(shè)置了進入壁壘。從芯片制造廠商方面看，大約有130 家公司擁有150mm晶圓廠，而擁有200mm晶圓廠的公司不到90家，擁有300mm晶圓廠的公司只有24家。

因為450mm晶圓涉及到整個產(chǎn)業(yè)鏈上下游的巨大變化，總投入是千億美元量級的，半導體業(yè)界再也沒有一家企業(yè)能夠獨家制訂標準和承擔風險。知乎博主“老狼”曾表示，如果投入一個450mm的FAB, 成本將超過100億美金，只有少數(shù)公司能承擔得起一座450mm工廠，這將帶來更大的兩極分化現(xiàn)象。

總的來看，遷移到新的晶圓尺寸平臺需要半導體供應(yīng)鏈的上下游合作，會牽涉到整個產(chǎn)業(yè)鏈的資源調(diào)配，研發(fā)以及一體化行動，幾乎所有工具都需要重新研發(fā)、投產(chǎn)和試運行。

類似地，設(shè)備市場也越來越集中，前10家供應(yīng)商所占據(jù)的市場份額已經(jīng)從90年代的60%增長到了2000年代的75%以上。為了維持芯片成本下降和行業(yè)持續(xù)增長，晶圓尺寸增大與利益相關(guān)者之間的垂直合作至關(guān)重要。

目前在18英寸晶圓產(chǎn)線發(fā)展上除了資金和技術(shù)的雙重壓力，導致晶圓廠向18英寸晶圓產(chǎn)線轉(zhuǎn)進速度急劇放緩的原因還在于設(shè)備廠商的意愿。

18英寸的工作與過去的晶圓尺寸轉(zhuǎn)換不同，在150mm時，英特爾是領(lǐng)導轉(zhuǎn)型并支付大量工作費用的公司，而在200mm時則是IBM。在300mm時，設(shè)備公司承擔了很多成本，他們需要很長時間才能收回投資。

而450mm的成本再次被推到設(shè)備公司身上，他們非常不愿意接受這種情況。2014年，英特爾因利用率低，42號晶圓廠閑置，因此將資源從18英寸撤下，臺積電也在18英寸上退讓，設(shè)備公司暫停開發(fā)工作，18英寸晶圓就此“死亡”。

在前車之鑒的陰影下，重振18英寸之路并非易事。

最初ASML的研發(fā)計劃包括450mm晶圓光刻系統(tǒng)和EUV光刻機系統(tǒng)，在發(fā)現(xiàn)450mm晶圓的道路上行不通后，ASML于2013年11月決定暫停450mm光刻系統(tǒng)的開發(fā)，直到看到客戶及市場在這一領(lǐng)域有明確的需求。

當前，ASML試圖生產(chǎn)足夠的EUV系統(tǒng)并將High NA設(shè)備投入生產(chǎn)。12英寸的High NA EUV系統(tǒng)已經(jīng)非常龐大——難以運輸，制造更大的18英寸版本將是前所未有的工程挑戰(zhàn)。

此外，為了維持更大晶圓的均勻性、生產(chǎn)性和良品率，18英寸產(chǎn)線對晶圓傳送工具、單片加工設(shè)備、精密切割設(shè)備及CMP等設(shè)備提出了更高的精準度要求，要產(chǎn)生更大的成本。加工更大晶圓和更小的容差的設(shè)備變得更加昂貴。

隨著晶圓尺寸的增大，對于系統(tǒng)的集成、系統(tǒng)的自動化、材料的特殊要求及整體功耗等都對設(shè)備制造商提出更高的要求。

可以預見，芯片制造商和設(shè)備制造商需要共同努力實現(xiàn)技術(shù)進步，這樣才能應(yīng)對先進的小型化和晶圓尺寸增長所帶來的更大難題。只有使得芯片制造商與設(shè)備制造商同時實現(xiàn)雙贏，才能持續(xù)推動半導體產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。同樣設(shè)備制造商需要投資較之前比例更多的研發(fā)費用，才能實現(xiàn)450mm晶圓苛刻的工藝及技術(shù)要求。

寫在最后

對整個行業(yè)而言，450mm晶圓尺寸遷移是一個戰(zhàn)略決策。但是，晶圓尺寸遷移的有效性會受到供應(yīng)鏈上多種行業(yè)的動態(tài)和交互影響。

18英寸晶圓引進時程趨緩，主要因初期需要大規(guī)模投資，由于晶圓尺寸改變，相關(guān)設(shè)備必須配合變動，不僅需要建設(shè)新工廠，設(shè)備也需要更換，對晶圓制造廠和設(shè)備廠來說負擔不小。一旦計劃失敗恐導致較大影響，使得各家設(shè)備大廠頻踩煞車。

目前半導體行業(yè)大多轉(zhuǎn)向活用現(xiàn)有設(shè)備，朝微細化先進制程方向進行發(fā)展和演進。曾經(jīng)的希望現(xiàn)在越來越渺茫，目前450mm晶圓離我們不但沒有變近，反倒更加模糊不清。

鑒于當前經(jīng)濟和技術(shù)的種種形勢，轉(zhuǎn)向450mm晶圓的步伐很有可能會繼續(xù)延緩。一位來自某半導體廠商的高管稱，半導體業(yè)界絕不會減緩升級節(jié)點制程的速度，因為人們普遍認為，從節(jié)點制程的縮減中所獲取的利益，要比采用更大尺寸晶圓所獲得的成本利益更為重要。

但事物總是要發(fā)展的，如今先進制程到了3nm甚至2nm以后，摩爾定律逐漸失速，不知業(yè)界是否會將目光重新聚焦到450mm晶圓上來。

本文來自微信公眾號：半導體行業(yè)觀察 （ID：icbank），作者：L晨光

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