晶圓劃片工藝的重要質(zhì)量缺陷 因?yàn)楣璨牧系拇嘈裕瑱C(jī)械切割方式會對晶圓的正面和背面產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力,結(jié)果在芯片的邊緣產(chǎn)生正面崩角(FSC—Front Side Chipping)及背面崩角(BSC—Back Side Chipping)。 正面崩角和背面崩角會降低芯片的機(jī)械強(qiáng)度,初始的芯片邊緣裂隙在后續(xù)的封裝工藝中或在產(chǎn)品的使用中會進(jìn)一步擴(kuò)散,從而可能引起芯片斷裂。另外,如果崩角進(jìn)入了用于保護(hù)芯片內(nèi)部電路、防止劃片損傷的密封環(huán)(Seal Ring)內(nèi)部時(shí),芯片的電氣性能和可靠性都會受到影響。 封裝工藝設(shè)計(jì)規(guī)則限定崩角不能進(jìn)入芯片邊緣的密封圈。如果將崩角大小作為評核晶圓切割質(zhì)量/能力的一個(gè)指標(biāo),則可用公式來計(jì)算晶圓切割能力指數(shù)(Cpk)(圖1)。