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晶圓切割制程
來源:文仔的博客
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作者:chnchip
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發(fā)布時(shí)間: 2020-12-29
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晶圓切割制程：繃片 → 切割 → UV照射
晶圓切割（Dicing），也叫劃片（Die Sawing），是將一個(gè)晶圓上單獨(dú)的die通過高速旋轉(zhuǎn)的金剛石刀片（也有激光切割技術(shù)）切割開來，形成獨(dú)立的單顆的晶片，為后續(xù)工序做準(zhǔn)備。
繃片（Wafer Mounter），是一個(gè)切割前的晶圓固定工序，在晶圓的背面貼上一層藍(lán)膜，并固定在一個(gè)金屬框架（Frame）上，以利于后面切割。在貼膜的過程中要加60℃~80℃溫度，使藍(lán)膜能牢固粘貼在晶圓上（一般實(shí)際加工過程時(shí)貼膜后放入烘烤箱烘烤），防止切割過程由于粘貼不牢造成die飛出。
切割過程中需要用DI離子水沖去切割產(chǎn)生的硅渣和釋放靜電，DI離子水由CO2純水機(jī)制備。將二氧化碳?xì)怏w溶于離子水中，降低水的阻抗，從而利于釋放靜電。
UV照射是用紫外線照射切割完的藍(lán)膜，降低藍(lán)膜的粘性，方便后續(xù)挑粒。
切割分為半切和全切兩種。半切是切割4/5晶圓厚度，不會切透晶圓，然后用機(jī)械方式（銅棒滾過）使其自動(dòng)裂口形成獨(dú)立die。這種方式費(fèi)用低，一般用于挑粒裝盒的方式中，可以不用貼藍(lán)膜，但容易發(fā)生背崩。全切即將晶圓切透，切割前要貼膜，會切割到藍(lán)膜。這種方式一般用在選擇晶片留藍(lán)膜上出貨的客戶。
每個(gè)die之間會留有間隙，成為切割道（saw street），刀片沿著切割道切割。
晶圓劃片工藝的重要質(zhì)量缺陷
因?yàn)楣璨牧系拇嘈裕瑱C(jī)械切割方式會對晶圓的正面和背面產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力，結(jié)果在芯片的邊緣產(chǎn)生正面崩角（FSC—Front Side Chipping）及背面崩角（BSC—Back Side Chipping）。
正面崩角和背面崩角會降低芯片的機(jī)械強(qiáng)度，初始的芯片邊緣裂隙在后續(xù)的封裝工藝中或在產(chǎn)品的使用中會進(jìn)一步擴(kuò)散，從而可能引起芯片斷裂。另外，如果崩角進(jìn)入了用于保護(hù)芯片內(nèi)部電路、防止劃片損傷的密封環(huán)（Seal Ring）內(nèi)部時(shí)，芯片的電氣性能和可靠性都會受到影響。
封裝工藝設(shè)計(jì)規(guī)則限定崩角不能進(jìn)入芯片邊緣的密封圈。如果將崩角大小作為評核晶圓切割質(zhì)量／能力的一個(gè)指標(biāo)，則可用公式來計(jì)算晶圓切割能力指數(shù)（Cpk）（圖1）。
源文地址：http://blog.sina.com.cn/s/blog_69109d9a0100y82h.html
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珠海市中芯集成電路有限公司是一家專業(yè)從事集成電路后序加工的高科技電子公司，可以為客戶提供晶圓測試（wafer testing）、晶圓切割Dicing Saw(半切及貼膜全切) 、晶圓研磨減?。╳afer back grinding）、成品測試及tcp/cof/cob封裝等全方位的服務(wù)。公司是中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會會員，珠海市軟件行業(yè)協(xié)會副會長單位，獲授國家高新技術(shù)企業(yè)，廣東省“守合同重信用”企業(yè)，通過ISO 9001：2008和ISO 9001：2015體系認(rèn)證。中芯的行為準(zhǔn)則是“以客戶為中心，以質(zhì)量求生存，以服務(wù)求發(fā)展！”，希望通過我們的專業(yè)程度和不懈的努力，為客戶提供低成本、高品質(zhì)的產(chǎn)品為目標(biāo)。
晶圓切割（Dicing），也叫劃片（Die Sawing），是將一個(gè)晶圓上單獨(dú)的die通過高速旋轉(zhuǎn)的金剛石刀片（也有激光切割技術(shù)）切割開來，形成獨(dú)立的單顆的晶片，為后續(xù)工序做準(zhǔn)備。
繃片（Wafer Mounter），是一個(gè)切割前的晶圓固定工序，在晶圓的背面貼上一層藍(lán)膜，并固定在一個(gè)金屬框架（Frame）上，以利于后面切割。在貼膜的過程中要加60℃~80℃溫度，使藍(lán)膜能牢固粘貼在晶圓上（一般實(shí)際加工過程時(shí)貼膜后放入烘烤箱烘烤），防止切割過程由于粘貼不牢造成die飛出。
切割過程中需要用DI離子水沖去切割產(chǎn)生的硅渣和釋放靜電，DI離子水由CO2純水機(jī)制備。將二氧化碳?xì)怏w溶于離子水中，降低水的阻抗，從而利于釋放靜電。
UV照射是用紫外線照射切割完的藍(lán)膜，降低藍(lán)膜的粘性，方便后續(xù)挑粒。
切割分為半切和全切兩種。半切是切割4/5晶圓厚度，不會切透晶圓，然后用機(jī)械方式（銅棒滾過）使其自動(dòng)裂口形成獨(dú)立die。這種方式費(fèi)用低，一般用于挑粒裝盒的方式中，可以不用貼藍(lán)膜，但容易發(fā)生背崩。全切即將晶圓切透，切割前要貼膜，會切割到藍(lán)膜。這種方式一般用在選擇晶片留藍(lán)膜上出貨的客戶。
每個(gè)die之間會留有間隙，成為切割道（saw street），刀片沿著切割道切割。
晶圓劃片工藝的重要質(zhì)量缺陷
因?yàn)楣璨牧系拇嘈裕瑱C(jī)械切割方式會對晶圓的正面和背面產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力，結(jié)果在芯片的邊緣產(chǎn)生正面崩角（FSC—Front Side Chipping）及背面崩角（BSC—Back Side Chipping）。
正面崩角和背面崩角會降低芯片的機(jī)械強(qiáng)度，初始的芯片邊緣裂隙在后續(xù)的封裝工藝中或在產(chǎn)品的使用中會進(jìn)一步擴(kuò)散，從而可能引起芯片斷裂。另外，如果崩角進(jìn)入了用于保護(hù)芯片內(nèi)部電路、防止劃片損傷的密封環(huán)（Seal Ring）內(nèi)部時(shí)，芯片的電氣性能和可靠性都會受到影響。
封裝工藝設(shè)計(jì)規(guī)則限定崩角不能進(jìn)入芯片邊緣的密封圈。如果將崩角大小作為評核晶圓切割質(zhì)量／能力的一個(gè)指標(biāo)，則可用公式來計(jì)算晶圓切割能力指數(shù)（Cpk）（圖1）。
源文地址：http://blog.sina.com.cn/s/blog_69109d9a0100y82h.html
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珠海市中芯集成電路有限公司是一家專業(yè)從事集成電路后序加工的高科技電子公司，可以為客戶提供晶圓測試（wafer testing）、晶圓切割Dicing Saw(半切及貼膜全切) 、晶圓研磨減?。╳afer back grinding）、成品測試及tcp/cof/cob封裝等全方位的服務(wù)。公司是中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會會員，珠海市軟件行業(yè)協(xié)會副會長單位，獲授國家高新技術(shù)企業(yè)，廣東省“守合同重信用”企業(yè)，通過ISO 9001：2008和ISO 9001：2015體系認(rèn)證。中芯的行為準(zhǔn)則是“以客戶為中心，以質(zhì)量求生存，以服務(wù)求發(fā)展！”，希望通過我們的專業(yè)程度和不懈的努力，為客戶提供低成本、高品質(zhì)的產(chǎn)品為目標(biāo)。